EFFECT OF TRAPS ON CARRIER INJECTION IN SEMICONDUCTORS

被引：61

作者：

FAN, HY

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1953年 / 92卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.92.1424

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1424 / 1428

页数：5

相关论文

共 5 条

[1]

GEBBIE, 1953, PHYS REV, V91, P230

[2] TEMPORARY TRAPS IN SILICON AND GERMANIUM [J].

HAYNES, JR ;

HORNBECK, JA .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (01) :152-153

[3] THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF DRIFT MOBILITY IN GERMANIUM [J].

LAWRANCE, R .

PHYSICAL REVIEW, 1953, 89 (06) :1295-1295

[4]

NAVON D, 1953, PHYS REV, V91, P491

[5] STATISTICS OF THE RECOMBINATIONS OF HOLES AND ELECTRONS [J].

SHOCKLEY, W ;

READ, WT .

PHYSICAL REVIEW, 1952, 87 (05) :835-842