INFLUENCE OF NITRIDE THICKNESS VARIATIONS ON SWITCHING SPEED OF MNOS MEMORY TRANSISTORS

被引：1

作者：

BRUUN, E

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1978.19275

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1328 / 1331

页数：4

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共 4 条

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