RESIDUAL-STRESS MEASUREMENT IN SILICON SHEET BY SHADOW MOIRE INTERFEROMETRY

被引：10

作者：

KWON, Y

DANYLUK, S

BUCCIARELLI, L

KALEJS, JP

机构：

[1] MIT,SCH ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

[2] MOBIL SOLAR ENERGY CORP,WALTHAM,MA 02254

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1987年 / 82卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(87)90190-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

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页码：221 / 227

页数：7

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