INFLUENCE OF INJECTION RATE ON CARRIER LIFETIME DEGRADATION IN P-TYPE SILICON IRRADIATED BY 4.5 MEV ELECTRONS

被引：2

作者：

BIELLEDA.D

POUGET, M

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1971年 / 93卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(71)90065-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：413 / &

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