TEM OBSERVATION OF DISLOCATION LOOPS CORRELATED WITH INDIVIDUAL SWIRL DEFECTS IN AS-GROWN SILICON

被引：41

作者：

BERNEWITZ, LI ^{[1
]}

KOLBESEN, BO ^{[1
]}

MAYER, KR ^{[1
]}

SCHUH, GE ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG, B GE 1, POB 46 07 05, 8 MUNICH 46, WEST GERMANY

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1655471

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：277 / 279

页数：3