2ND BREAKDOWN PHENOMENON OF POINT CONTACT N N+ SI WAFERS

被引：4

作者：

AGATSUMA, T

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1966年 / 54卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1966.5084

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1206 / &

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共 4 条

[1]

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