A NOVEL AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH GOOD OFF-CHARACTERISTICS

被引：2

作者：

UCHIDA, Y ^{[1
]}

MATSUMURA, M ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO INST TECHNOL, FAC ENGN, MEGURO KU, TOKYO 152, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1988年 / 27卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.L2379

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L2379 / L2381

页数：3

共 4 条

HAYAMA, H ;

MATSUMURA, M .

[2] AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT DEVICE AND POSSIBLE APPLICATION [J].

LECOMBER, PG ;

SPEAR, WE ;

GHAITH, A .

[3] HIGH-PERFORMANCE AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

MATSUMURA, M ;

NARA, Y .

[4]

SUGIURA O, 1982, T I ELECTRON COMMU C, V65, P914