PILEUP OF ARSENIC IMPLANTED INTO SILICON WITH HIGH-DOSES AT SURFACES

被引：3

作者：

YOKOTA, K ^{[1
]}

OHTSUKI, K ^{[1
]}

ISHIHARA, S ^{[1
]}

KIMURA, I ^{[1
]}

机构：

[1] KYOTO UNIV,INST RES REACTOR,KUMATORI,OSAKA 59004,JAPAN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1989年 / 39卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(89)90803-3

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：362 / 365

页数：4

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共 5 条

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