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SHALLOW IMPURITY TRAPS AND ELECTRON TRANSFER DYNAMICS IN N-TYPE SILICON AT LIQUID HELIUM TEMPERATURES
被引:29
作者
:
HONIG, A
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HONIG, A
LEVITT, R
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LEVITT, R
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW LETTERS
|
1960年
/ 5卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRevLett.5.93
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
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[2]
HONIG A, 1959, 1959 QUANT EL C, P450
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