A METHOD FOR AREA SAVING PLANAR ISOLATION OXIDES USING OXIDATION PROTECTED SIDEWALLS

被引：16

作者：

KAHNG, D

SHANKOFF, TA

SHENG, TT

HASZKO, SE

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1980年 / 127卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129498

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：2468 / 2471

页数：4

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共 4 条

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