PHOSPHOSILICATE GLASS BRIDGE STRUCTURES

被引：5

作者：

NAUMAAN, A

BOYD, JT

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129916

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1414 / 1415

页数：2

共 6 条

[1] ANISOTROPIC ETCHING OF SILICON [J].

BEAN, KE .

[2]

DECLERQ MJ, 1975, J ELECTROCHEM SOC, V122, P541

[3] ADVANCES IN DEPOSITION PROCESSES FOR PASSIVATION FILMS [J].

KERN, W ;

ROSLER, RS .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1977, 14 (05) :1082-1099

[4]

NAUMAAN A, UNPUBLISHED

[5]

SHIBATA M, 1975, J ELECTROCHEM SOC, V122, P157, DOI 10.1149/1.2134147

SHIBATA, M ;

SUGAWARA, K .