CHARACTERISTICS OF AND TRANSITIONS AMONG MUON STATES IN SILICON

被引：13

作者：

BOEKEMA, C

HOLZSCHUH, E

KUNDIG, W

MEIER, PF

PATTERSON, BD

REICHART, W

RUEGG, K

机构：

来源：

HYPERFINE INTERACTIONS | 1981年 / 8卷 / 4-6期

关键词：

D O I：

10.1007/BF01037503

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学]; O56 [分子物理学、原子物理学];

学科分类号：

070203 ; 070304 ; 081704 ; 1406 ;

摘要：

引用

页码：401 / 404

页数：4

共 8 条

[1]

BALZER G, 1979, SIN JAHRESBERICHT

[2]

BARSOV SG, 1979, SOV PHYS JETP, V49, P1110

[3]

GRAF H, COMMUNICATION

[4] MUONIUM STATES IN GERMANIUM [J].

HOLZSCHUH, E ;

GRAF, H ;

RECKNAGEL, E ;

WEIDINGER, A ;

WICHERT, T ;

MEIER, PF .

PHYSICAL REVIEW B, 1979, 20 (11) :4391-4396

[5] DIRECT MEASUREMENT OF THE HYPERFINE FREQUENCY OF MUONIUM IN SILICON [J].

HOLZSCHUH, E ;

KUNDIG, W ;

PATTERSON, BD .

HYPERFINE INTERACTIONS, 1981, 8 (4-6) :819-821

[6]

KUDINOV VI, 1976, SOV PHYS JETP, V43, P1065

[7] MU-SR RESEARCH IN SEMICONDUCTORS [J].

PATTERSON, BD .

HYPERFINE INTERACTIONS, 1979, 6 (1-4) :155-161

[8]

[No title captured]

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