GE SEGREGATION AT SI/SI1-XGEX INTERFACES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：120

作者：

ZALM, PC

VANDEWALLE, GFA

GRAVESTEIJN, DJ

VANGORKUM, AA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101995

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2520 / 2522

页数：3

共 8 条

[1]

ALLEN F, 1988, SILICON MOL BEAM EPI, V1, P65

[2]

BEAN JC, 1985, 1ST P INT S SI MBE, V85, P376

[3]

BEAN JC, 1984, J VAC SCI TECHNOL A, V2, P4

[4]

EBERL K, 1987, J PHYS C SOLID STATE, V5, P329

IYER, SS ;

TSANG, JC ;

COPEL, MW ;

PUKITE, PR ;

TROMP, RM .

[6]

Olson G. L., 1988, Material Science Reports, V3, P1, DOI 10.1016/S0920-2307(88)80005-7

[7]

ROSENCHER E, 1988, SILICON MOL BEAM EPI, V1, P161

[8]

VANDEWALLE GFA, 1989, PHILIPS J RES, V44, P141