MEASUREMENT OF THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE IC(VBE) CHARACTERISTICS OF INTEGRATED BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：17

作者：

MEIJER, GCM

VINGERLING, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1980.1051368

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：237 / 240

页数：4

共 5 条

[1] AN INTEGRAL CHARGE CONTROL MODEL OF BIPOLAR TRANSISTORS [J].

GUMMEL, HK ;

POON, HC .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1970, 49 (05) :827-+

[2] PRECISION REFERENCE VOLTAGE SOURCE [J].

KUIJK, KE .

[3]

MEIJER GCM, 1978, DIG TECH PAPERS ESSC

[4] PRECISION SILICON TRANSISTOR THERMOMETER [J].

OHTE, A ;

YAMAGATA, M .

[5] MEASUREMENTS OF BANDGAP NARROWING IN SI BIPOLAR-TRANSISTORS [J].

SLOTBOOM, JW ;

DEGRAAFF, HC .