SIMPLE MERCURY DROP ELECTRODE FOR MOS MEASUREMENTS

被引：12

作者：

ABOWITZ, G

ARNOLD, E

机构：

来源：

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1967年 / 38卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1720769

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：564 / &

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[1]

BALK P, 1965, ABSTR ELECTRONICS DI, V14, P237

[2] INVESTIGATION OF THERMALLY OXIDISED SILICON SURFACES USING METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES [J].

GROVE, AS ;

DEAL, BE ;

SNOW, EH ;

SAH, CT .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1965, 8 (02) :145-+

[3]

HANSEN M, 1958, CONSTITUTION BINARY, P207

[4] MOS CONDUCTANCE TECHNIQUE FOR MEASURING SURFACE STATE PARAMETERS (SIO2-SI E) [J].

NICOLLIAN, EH ;

GOETZBERGER, A .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1965, 7 (08) :216-+