EFFECTS OF HIGH UNIAXIAL STRESS ON FAR INFRA-RED IMPURITY SPECTRA OF HIGH-PURITY NORMAL-TYPE AND PARA-TYPE SILICON

被引：16

作者：

COOKE, RA ^{[1
]}

NICHOLAS, RJ ^{[1
]}

STRADLING, RA ^{[1
]}

PORTAL, JC ^{[1
]}

ASKENAZY, S ^{[1
]}

机构：

[1] INST NATL SCI APPL LYON,DEPT PHYS,F-31077 TOULOUSE,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(78)90997-3

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页数：5