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INFLUENCE OF THE 7X7-1X1 PHASE-TRANSITION ON THE STICKING OF OXYGEN ON SI(111)

被引：22
作者：
MEMMERT, U
YU, ML
机构：
来源：
CHEMICAL PHYSICS LETTERS | 1989年 / 164卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1016/0009-2614(89)85256-X
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
引用
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页码：552 / 556
页数：5
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[11]  
SUE CY, 1981, J VAC SCI TECHNOL, V18, P843
[12]   STRUCTURE-ANALYSIS OF SI(111)-7X7 RECONSTRUCTED SURFACE BY TRANSMISSION ELECTRON-DIFFRACTION [J].
TAKAYANAGI, K ;
TANISHIRO, Y ;
TAKAHASHI, S ;
TAKAHASHI, M .
SURFACE SCIENCE, 1985, 164 (2-3) :367-392
[13]   ON THE PHASE-TRANSITION BETWEEN THE (7X7) AND (1X1) STRUCTURES OF SILICON(111) SURFACE STUDIED BY REFLECTION ELECTRON-MICROSCOPY [J].
TANISHIRO, Y ;
TAKAYANAGI, K ;
YAGI, K .
ULTRAMICROSCOPY, 1983, 11 (2-3) :95-102
[14]   THE (7X7)[--](1X1) PHASE-TRANSITION ON SI(111) [J].
TELIEPS, W ;
BAUER, E .
SURFACE SCIENCE, 1985, 162 (1-3) :163-168
[15]   REAL-TIME STUDY OF OXYGEN REACTION ON SI(100) [J].
YU, ML ;
ELDRIDGE, BN .
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1987, 58 (16) :1691-1694
12