NEUTRAL VACANCY IN SILICON AND DIAMOND - GENERALIZED VALENCE BOND STUDIES

被引：23

作者：

SURRATT, GT ^{[1
]}

GODDARD, WA ^{[1
]}

机构：

[1] CALTECH,ARTHUR AMOS NOYES LAB CHEM PHYS,PASADENA,CA 91125

来源：

SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1977年 / 22卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(77)90114-4

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

收藏

页码：413 / 416

页数：4

相关论文

共 14 条

[11]

SURRATT GT, TO BE PUBLISHED

[12]

Watkins G. D., 1975, Lattice Defects in Semiconductors, 1974, P1

[13] MANY-ELECTRON EFFECTS FOR DEEP LEVELS IN SOLIDS - LATTICE VACANCY IN DIAMOND [J].

WATKINS, GD ;

MESSMER, RP .

PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1974, 32 (22) :1244-1248

[14]

WHITEHOUSE JE, 1972, RADIATION DAMAGE DEF