ON THE RELATIVE IMPORTANCE OF PHYSICAL AND CHEMICAL SPUTTERING DURING ION-ENHANCED ETCHING OF SILICON BY XEF2

被引：14

作者：

HOULE, FA

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1987年 / 50卷 / 25期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97713

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1838 / 1840

页数：3

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共 21 条

[21] GASEOUS PRODUCTS FROM THE REACTION OF XEF2 WITH SILICON [J].

WINTERS, HF ;

HOULE, FA .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1983, 54 (03) :1218-1223