TEMPERATURE-DEPENDENCE OF ELECTRICAL-PROPERTIES OF NON-DOPED AND NITROGEN-DOPED BETA-SIC SINGLE-CRYSTALS GROWN BY CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION - COMMENT

被引：20

作者：

SEGALL, B ^{[1
]}

ALTEROVITZ, SA ^{[1
]}

HAUGLAND, EJ ^{[1
]}

MATUS, LG ^{[1
]}

机构：

[1] NASA,LEWIS RES CTR,CLEVELAND,OH 44135

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1987年 / 50卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1063/1.97822

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1533 / 1534

页数：2

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共 3 条

[1] COMPENSATION IN EPITAXIAL CUBIC SIC FILMS [J].

SEGALL, B ;

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