EXPERIMENTAL STUDIES OF SWITCHING IN METAL SEMI-INSULATING N-P+ SILICON DEVICES

被引：34

作者：

ELBADRY, A ^{[1
]}

SIMMONS, JG ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TORONTO,DEPT ELECT ENGN,TORONTO,ONTARIO,CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90204-0

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：963 / 966

页数：4

共 5 条

[1] CONTROLLED-INVERSION TRANSISTORS [J].

KROGER, H ;

WEGENER, HAR .

KROGER, H ;

WEGENER, HAR .

[3]

SIMMONS JG, 1977, SOLID ST ELECTRON, V20, P963

[4] SILICON P-N INSULATOR-METAL (P-N-I-M) DEVICES [J].

YAMAMOTO, T ;

KAWAMURA, K ;

SHIMIZU, H .

[5] THIN-MIS-STRUCTURE SI NEGATIVE-RESISTANCE DIODE [J].

YAMAMOTO, T ;

MORIMOTO, M .