STUDY OF EPITAXIAL-GROWTH OF ZNTE ON GAAS(001) BY CHANNELING

被引:14
作者
CHAMI, AC
LIGEON, E
FONTENILLE, J
FEUILLET, G
DANIELOU, R
机构
关键词
D O I
10.1063/1.341953
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:637 / 641
页数:5
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