PROPERTIES OF A SINGLE-LEVEL SURFACE STATE INDUCED BY BE IMPLANTATION INTO SI-SIO2 INTERFACES

被引：11

作者：

FAHRNER, W ^{[1
]}

GOETZBERGER, A ^{[1
]}

机构：

[1] FRAUNHOFER GESELL, INST ANGEW FESTKORPER PHYS, FREIBURG, WEST GERMANY

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1662251

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：725 / 727

页数：3

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共 4 条

[1] DETERMINATION OF DEEP ENERGY-LEVELS IN SI BY MOS TECHNIQUES [J].

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