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Westdorp W. A., 1969, Thin film dielectrics, P546
EVALUATION OF DISLOCATION GENERATION AT SI3N4 FILM EDGES ON SILICON SUBSTRATES BY SELECTIVE OXIDATION
被引：30
作者：
TAMAKI, Y
ISOMAE, S
MIZUO, S
HIGUCHI, H
机构：
关键词：
D O I：
10.1149/1.2127474
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：644 / 648
页数：5
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