GROWTH OF STACKING-FAULTS BY BARDEEN-HERRING MECHANISM IN CZOCHARALSKI SILICON

被引：23

作者：

WADA, K ^{[1
]}

TAKAOKA, H ^{[1
]}

INOUE, N ^{[1
]}

KOHRA, K ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO, FAC ENGN, TOKYO 113, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.18.1629

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1629 / 1630

页数：2

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