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PHOTOCONDUCTIVITY STUDIES OF DEFECTS IN P-TYPE SILICON - BORON INTERSTITIAL AND ALUMINUM INTERSTITIAL DEFECTS
被引：36
作者：
CHERKI, M
KALMA, AH
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE
|
1970年
/
1卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.1.647
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：647 / &
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