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STRUCTURE FOR MEASUREMENT OF SURFACE RESISTIVITY IN PLANAR TECHNOLOGY
被引:3
作者
:
BENEKING, H
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0
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0
BENEKING, H
FROSCHLE, E
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FROSCHLE, E
NAUMANN, J
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0
NAUMANN, J
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1969年
/ 12卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(69)90097-5
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:407 / &
相关论文
共 3 条
[1]
RESISTIVITY OF BULK SILICON AND OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON
IRVIN, JC
论文数:
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IRVIN, JC
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1962,
41
(02):
: 387
-
+
[2]
ANALYSIS OF IMPURITY ATOM DISTRIBUTION NEAR DIFFUSION MASK FOR A PLANAR P-N JUNCTION
KENNEDY, DP
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KENNEDY, DP
OBRIEN, RR
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0
OBRIEN, RR
[J].
IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT,
1965,
9
(03)
: 179
-
&
[3]
VANDERPAUW R, 1958, PHILIPS RES REP, V13, P1
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共 3 条
[1]
RESISTIVITY OF BULK SILICON AND OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON
IRVIN, JC
论文数:
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0
IRVIN, JC
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1962,
41
(02):
: 387
-
+
[2]
ANALYSIS OF IMPURITY ATOM DISTRIBUTION NEAR DIFFUSION MASK FOR A PLANAR P-N JUNCTION
KENNEDY, DP
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KENNEDY, DP
OBRIEN, RR
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0
OBRIEN, RR
[J].
IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT,
1965,
9
(03)
: 179
-
&
[3]
VANDERPAUW R, 1958, PHILIPS RES REP, V13, P1
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