MODELING OF GUNN-DOMAIN EFFECTS IN GAAS MESFETS

被引：15

作者：

WILLING, HA ^{[1
]}

SANTIS, PD ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,DIV ELECTR TECHNOL,MICROWAVE TECH BRANCH,WASHINGTON,DC 20375

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770387

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：537 / 539

页数：3

共 4 条

[1]

ENGELMANN RWH, 1976, DEC IEDM, P351

[2] MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1976 [J].

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[3] PERFORMANCE OF GAAS MESFETS AT LOW-TEMPERATURES [J].

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