FORMATION OF PLANAR DEFECTS IN THE EPITAXIAL-GROWTH OF GAP ON SI SUBSTRATE BY METAL ORGANIC CHEMICAL-VAPOR DEPOSITION

被引：73

作者：

ERNST, F

PIROUZ, P

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1988年 / 64卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1063/1.341280

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4526 / 4530

页数：5

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