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被引:12
作者
:
ISHII, N
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ISHII, N
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 20卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.20.L920
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L920 / L920
页数:1
相关论文
共 1 条
[1]
THE G-VALUES OF DEFECTS IN AMORPHOUS C, SI AND GE
[J].
ISHII, N
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0
机构:
KANAZAWA UNIV,DEPT ELECTR,KANAZAWA,ISHIKAWA 920,JAPAN
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ISHII, N
;
KUMEDA, M
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KANAZAWA UNIV,DEPT ELECTR,KANAZAWA,ISHIKAWA 920,JAPAN
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KUMEDA, M
;
SHIMIZU, T
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KANAZAWA UNIV,DEPT ELECTR,KANAZAWA,ISHIKAWA 920,JAPAN
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SHIMIZU, T
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1981,
20
(09)
:L673
-L676
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[1]
THE G-VALUES OF DEFECTS IN AMORPHOUS C, SI AND GE
[J].
ISHII, N
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KANAZAWA UNIV,DEPT ELECTR,KANAZAWA,ISHIKAWA 920,JAPAN
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ISHII, N
;
KUMEDA, M
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;
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1981,
20
(09)
:L673
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