BARIUM FLUORIDE AND STRONTIUM FLUORIDE NEGATIVE ELECTRON-BEAM RESISTS

被引：15

作者：

SCHERER, A

CRAIGHEAD, HG

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583906

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：374 / 378

页数：5

共 5 条

KRATSCHMER, E ;

ISAACSON, M .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1986, 4 (01) :361-364

[2]

MANKIEWICH PM, 1984, APPL PHYS LETT, V44, P46

[3] AIF3 - A NEW VERY HIGH-RESOLUTION ELECTRON-BEAM RESIST [J].

MURAY, A ;

ISAACSON, M ;

ADESIDA, I .

[4]

MURAY H, 1985, J VAC SCI TECHNOL B, V3, P367

[5]

ZOGG H, 1985, DEC P MAT RES M BOST