GENERATION OF DIVACANCIES IN TIN-DOPED SILICON

被引：39

作者：

SVENSSON, BG

SVENSSON, J

LINDSTROM, JL

DAVIES, G

CORBETT, JW

机构：

[1] UNIV LONDON KINGS COLL,DEPT PHYS,LONDON WC2R 2LS,ENGLAND

[2] SUNY ALBANY,DEPT PHYS,ALBANY,NY 12222

[3] LINKOPING INST TECHNOL,DEPT PHYS & MEASUREMENT TECHNOL,S-58183 LINKOPING,SWEDEN

[4] NATL DEF RES INST,S-58111 LINKOPING,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.98902

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：3