REACTIVE ION ETCHING OF DIELECTRIC AND SEMICONDUCTOR LAYERS IN CHF3 AND C2F6

被引：5

作者：

NOVOTNY, Z

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF01605972

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：689 / 695

页数：7

共 7 条

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