BIAS-DEPENDENT PHOTO-LUMINESCENCE INTENSITIES IN N-INP SCHOTTKY DIODES

被引：22

作者：

ANDO, K

YAMAMOTO, A

YAMAGUCHI, M

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 51卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1063/1.327595

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：6432 / 6434

页数：3

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