EPITAXIAL GROWTH OF SILICON

被引:26
作者
WAJDA, ES
KIPPENHAN, BW
WHITE, WH
机构
关键词
D O I
10.1147/rd.43.0288
中图分类号
TP3 [计算技术、计算机技术];
学科分类号
0812 ;
摘要
引用
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页码:288 / 295
页数:8
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共 4 条
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ALLEN, FG ;
EISINGER, J ;
HAGSTRUM, HD ;
LAW, JT .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (10) :1563-1571
[2]   IMPURITY INTRODUCTION DURING EPITAXIAL GROWTH OF SILICON [J].
GLANG, R ;
KIPPENHAN, BW .
IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1960, 4 (03) :299-301
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SCHAFER, H ;
MORCHER, B .
ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1957, 290 (5-6) :279-291
[4]   ELECTROPLATING METAL CONTACTS ON GERMANIUM AND SILICON [J].
TURNER, DR .
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1959, 106 (09) :786-790