RELATIVE INFLUENCE OF MAJORITY AND MINORITY CARRIERS ON EXCESS NOISE IN SEMICONDUCTOR FILAMENTS

被引：12

作者：

BESS, L

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1721911

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1377 / 1381

页数：5

共 9 条

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