HIGH-TRANSCONDUCTANCE BETA-SIC BURIED-GATE JFETS

被引：28

作者：

KELNER, G

SHUR, MS

BINARI, S

SLEGER, KJ

KONG, HS

机构：

[1] UNIV MINNESOTA,DEPT ELECT ENGN,MINNEAPOLIS,MN 55455

[2] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.24346

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1045 / 1049

页数：5

共 6 条

[1]

[Anonymous], 1987, GAAS DEVICES CIRCUIT

[2] BETA-SIC MESFETS AND BURIED-GATE JFETS [J].

KELNER, G ;

BINARI, S ;

SLEGER, K ;

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[3]

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