CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SMALL SIZE MOS-TRANSISTORS

被引：17

作者：

HOENEISEN, B

MEAD, CA

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1972年 / ED19卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1972.17428

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：382 / +

页数：1

相关论文

共 3 条

[1] CONDUCTANCE OF MOS TRANSISTORS IN SATURATION
FROHMANB.D
GROVE, AS
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1969, ED16 (01) : 108 - +
[2] COMPUTER-AIDED DESIGN AND CHARACTERIZATION OF DIGITAL MOS INTEGRATED CIRCUITS
FROHMANB.D
VADASZ, L
[J]. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1969, SC 4 (02) : 57 - &
[3] HOENEISEN B, TO BE PUBLISHED