GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ZNTE FILMS GROWN ON GAAS, INAS, GASB, AND ZNTE

被引：44

作者：

RAJAKARUNANAYAKE, Y ^{[1
]}

COLE, BH ^{[1
]}

MCCALDIN, JO ^{[1
]}

CHOW, DH ^{[1
]}

SODERSTROM, JR ^{[1
]}

MCGILL, TC ^{[1
]}

JONES, CM ^{[1
]}

机构：

[1] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,REDWOOD CITY,CA 94063

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101659

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1217 / 1219

页数：3

共 13 条

WILSON, BA ;

BONNER, CE ;

FELDMAN, RD ;

AUSTIN, RF ;

KISKER, DW ;

KRAJEWSKI, JJ ;

BRIDENBAUGH, PM .

[12]

YAO T, 1976, JPN J APPL PHYS, V15, P1001, DOI 10.1143/JJAP.15.1001

[13] III-V/II-VI DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURES [J].

YU, ET ;

MCGILL, TC .