DEPOSITION OF SILICON-BASED DIELECTRICS BY REMOTE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：24

作者：

LUCOVSKY, G

TSU, DV

机构：

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1988年 / 86卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(90)90808-X

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：804 / 814

页数：11

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共 24 条

[21]

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