DETERMINATION OF BAND DISCONTINUITY IN AMORPHOUS-SILICON HETEROJUNCTIONS

被引:17
作者
HAYASHI, T [1 ]
MIYAZAKI, S [1 ]
HIROSE, M [1 ]
机构
[1] HIROSHIMA UNIV,DEPT ELECT ENGN,HIROSHIMA 724,JAPAN
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1988年 / 27卷 / 03期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.27.L314
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:L314 / L316
页数:3
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共 12 条
[11]   AMORPHOUS-SILICON SUPERLATTICE THIN-FILM TRANSISTORS [J].
TSUKUDE, M ;
AKAMATSU, S ;
MIYAZAKI, S ;
HIROSE, M .
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1987, 26 (02) :L111-L113
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TSUKUDE M, 1986, JPN J APPL PHYS, V26, pL111