DIODE EDGE EFFECT ON DOPING-PROFILE MEASUREMENTS

被引：58

作者：

COPELAND, JA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1970.16996

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：404 / &

共 7 条

[1]

COPELAND JA, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P445

GOODMAN, AM .

[3]

HILDEBRAND J, 1960, RCA REV

KENNEDY, DP ;

MURLEY, PC ;

KLEINFELDER, W .

[5]

MCKENNA J, 1970, BELL SYS TECH J

[6]

SPIWAK RR, 1969, IEEE T, VIM18, P197

SZE, SM ;

GIBBONS, G .