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ION-BEAM MIXING IN AMORPHOUS-SILICON .2. THEORETICAL INTERPRETATION
被引:58
作者
:
MATTESON, S
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机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
CALTECH,PASADENA,CA 91125
MATTESON, S
[
1
]
PAINE, BM
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机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
CALTECH,PASADENA,CA 91125
PAINE, BM
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1
]
NICOLET, MA
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CALTECH,PASADENA,CA 91125
CALTECH,PASADENA,CA 91125
NICOLET, MA
[
1
]
机构
:
[1]
CALTECH,PASADENA,CA 91125
来源
:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS
|
1981年
/ 182卷
/ APR期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0029-554X(81)90670-4
中图分类号
:
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
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[31]
INDUCED INTERFACE INTERACTIONS IN TI-SI SYSTEMS BY ION-IMPLANTATION
WANG, KL
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REIHL, RF
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REIHL, RF
[J].
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY,
1979,
16
(02):
: 130
-
133
[32]
WEAST RC, 1979, HDB CHEM PHYS, pD61
[33]
Winterbon K.B., 1975, ION IMPLANTATION RAN, V2
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16
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