形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880122202.6

申请日：

2008-12-25

公开(公告)号：

CN101903993B

公开(公告)日：

2010-12-01

发明(设计)人：

大江贵裕君岛美树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21368

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786 H01L5105 H01L5140

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

宋鹤;南霆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	公开	公开
2017-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101702996710 IPC(主分类):H01L 21/368 专利号:ZL2008801222026 申请日:20081225 授权公告日:20121121 终止日期:20151225
2012-11-21	授权	授权
2011-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101030691838 IPC(主分类):H01L 21/368 专利申请号:2008801222026 申请日:20081225

共 50 条

[1]

有机半导体薄膜的形成方法及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

野元章裕 .

中国专利 :CN101640252B ,2010-02-03

[2]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[3]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[4]

用于制造半导体器件的方法和薄膜半导体器件 [P].

西格弗里德·赫尔曼 ;

贝特霍尔德·哈恩 .

中国专利 :CN101238593B ,2008-08-06

[5]

薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法 [P].

中屿英晴 ;

根来阳一 ;

碓井节夫 .

中国专利 :CN1348200A ,2002-05-08

[6]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[7]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[8]

薄膜半导体器件的制造方法 [P].

宫坂光敏 .

中国专利 :CN1274009C ,2004-05-12

[9]

半导体薄膜的形成方法和半导体薄膜的形成装置 [P].

松村正清 ;

西谷幹彥 ;

木村嘉伸 ;

十文字正之 ;

谷口幸夫 ;

平松雅人 ;

中野文樹 .

中国专利 :CN100442440C ,2003-09-10

[10]

有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法 [P].

酒井正俊 ;

工藤一浩 ;

贞光雄一 .

中国专利 :CN106796987B ,2017-05-31

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