半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110094367.0

申请日：

2011-04-12

公开(公告)号：

CN102222622A

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

吉原晋二浅海一志北村康宏大原淳士

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L2364

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王永建

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20110412 授权公告日:20140806 终止日期:20190412
2011-10-19	公开	公开
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145712269 IPC(主分类):H01L 21/48 专利申请号:2011100943670 申请日:20110412
2014-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

木下明将 ;

原田信介 ;

田中保宣 .

中国专利 :CN108028282A ,2018-05-11

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

江间泰示 ;

水谷和宏 .

中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08

[4]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[5]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

安松拓人 .

中国专利 :CN101346810A ,2009-01-14

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[7]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

[8]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

西田真 .

中国专利 :CN108630757A ,2018-10-09

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

竹内克彦 ;

谷口理 .

中国专利 :CN104106129B ,2014-10-15

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内山博幸 ;

藤崎寿美子 ;

森塚翼 .

中国专利 :CN107026208B ,2017-08-08

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