半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03820517.3

申请日：

2003-03-17

公开(公告)号：

CN100352017C

公开(公告)日：

2005-10-05

发明(设计)人：

山口正臣

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

丁香兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-05	公开	公开
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/318 申请日:20030317 授权公告日:20071128 终止日期:20180317
2007-11-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

森田健士 ;

加藤伸二郎 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

川岛宽之 ;

中邑良一 ;

香川恵永 ;

小林悠作 .

中国专利 :CN112368821A ,2021-02-12

[3]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

石塚典男 ;

三浦英生 ;

池田修二 ;

吉田安子 ;

鈴木範夫 ;

渡部浩三 ;

金光賢司 .

中国专利 :CN1145208C ,2000-12-06

[4]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

川岛宽之 ;

中邑良一 ;

香川恵永 ;

小林悠作 .

日本专利 :CN112368821B ,2025-01-21

[6]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

池尻将拓 ;

寺林真辉 ;

前川浩治 ;

秋山浩二 .

日本专利 :CN117998844A ,2024-05-07

[7]

半导体装置和半导体装置制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN102456691A ,2012-05-16

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

早坂明泰 .

日本专利 :CN119562545A ,2025-03-04

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

木下明将 ;

原田信介 ;

田中保宣 .

中国专利 :CN108028282A ,2018-05-11

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

江间泰示 ;

水谷和宏 .

中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08

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