半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980042098.8

申请日：

2019-06-11

公开(公告)号：

CN112368821A

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

川岛宽之中邑良一香川恵永小林悠作

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213205 H01L23522 H01L23532 H01L27146

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

乔焱;曹正建

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190611
2021-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

川岛宽之 ;

中邑良一 ;

香川恵永 ;

小林悠作 .

日本专利 :CN112368821B ,2025-01-21

[3]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

池尻将拓 ;

寺林真辉 ;

前川浩治 ;

秋山浩二 .

日本专利 :CN117998844A ,2024-05-07

[4]

半导体装置和半导体装置制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN102456691A ,2012-05-16

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

户塚正裕 .

中国专利 :CN101740356A ,2010-06-16

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

青山恵太 .

日本专利 :CN118676207A ,2024-09-20

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

早坂明泰 .

日本专利 :CN119562545A ,2025-03-04

[8]

半导体装置的评价方法、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

松下晃生 .

日本专利 :CN119422244A ,2025-02-11

[9]

半导体装置的制造方法、半导体装置、半导体制造装置和存储介质 [P].

加藤良裕 ;

柏木勇作 ;

松本贵士 .

中国专利 :CN101689501A ,2010-03-31

[10]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

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