半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411179380.X

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN119562545A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

早坂明泰

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/47 H10D64/68

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

冈田政也 .

日本专利 :CN119562552A ,2025-03-04

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

平崎贵英 .

日本专利 :CN119562547A ,2025-03-04

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

真壁勇夫 .

日本专利 :CN119562546A ,2025-03-04

[4]

半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

多木俊裕 .

中国专利 :CN102651395B ,2012-08-29

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

平崎贵英 .

日本专利 :CN117878148A ,2024-04-12

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

[7]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

冈本康宏 .

中国专利 :CN109390392A ,2019-02-26

[9]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

鸟居克行 .

中国专利 :CN103715237B ,2014-04-09

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