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半导体装置的制造方法和半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810867296.5
申请日：
2018-08-02
公开(公告)号：
CN109390392A
公开(公告)日：
2019-02-26
发明(设计)人：
冈本康宏
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L2920
IPC分类号：
H01L21335
H01L29778
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
张小稳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/20 申请日:20180802 |
| 2019-02-26 | 公开 | 公开 |