半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780001368.8

申请日：

2007-03-27

公开(公告)号：

CN101356638B

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

菊地良幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21314 H01L23522

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	公开	公开
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609890132 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2007800013688 申请日:20070327 授权公告日:20101201 终止日期:20140327
2010-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1282104A ,2001-01-31

[2]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

冈本康宏 .

中国专利 :CN109390392A ,2019-02-26

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

森田健士 ;

加藤伸二郎 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573950A ,2018-09-25

[4]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

谷口浩二 .

中国专利 :CN1192045A ,1998-09-02

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣林贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1485908A ,2004-03-31

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

荣森贵尚 ;

木村广嗣 .

中国专利 :CN1132248C ,1997-08-06

[7]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

五十岚觉 ;

加藤伸二郎 ;

长谷川尚 ;

秋野胜 ;

井村行宏 .

中国专利 :CN108573944A ,2018-09-25

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

荒井伸也 .

中国专利 :CN106469735A ,2017-03-01

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

[10]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

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